MOSFET-Technologien: Trench ist nicht gleich Split-Gate

In der sich ständig weiterentwickelnden Welt der Elektronik sind MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) unverzichtbare Bauelemente, die eine Schlüsselrolle in der Steuerung von Stromflüssen in einer Vielzahl von Anwendungen spielen. Von der Energieversorgung über das Automobil bis hin zur Telekommunikation ermöglichen diese leistungsfähigen Transistoren die Entwicklung kompakter, effizienter und leistungsfähiger elektronischer Systeme. Doch nicht alle MOSFETs sind gleich. Mit dem Fortschritt der Technologie haben sich verschiedene Strukturen entwickelt, jede mit ihren eigenen Vorzügen und Einsatzgebieten. Blume Elektronik, Ihr Partner im Bereich der elektronischen Komponenten, führt Sie durch die Welt der MOSFET-Technologien, um Ihnen die Auswahl der passenden Komponenten für Ihre Projekte zu erleichtern.

Wesentliche Eigenschaften hochwertiger MOSFETs

Zu den Schlüsseleigenschaften, die einen guten MOSFET ausmachen, gehören eine niedrige Gate-Ladung, ein geringer On-Widerstand (RDS(on)), eine hohe Schaltgeschwindigkeit sowie eine hohe Durchbruchspannung. Diese Faktoren bestimmen maßgeblich die Effizienz, die Leistung und die Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen.

Verschiedene MOSFET-Strukturen erklärt

1. Standard Trench MOSFETs: Diese MOSFETs nutzen eine Grabenstruktur, um den On-Widerstand zu verringern, was zu einer höheren Effizienz führt.
2. UMOS (U-Shaped MOSFETs): Mit ihrer U-förmigen Gate-Struktur bieten UMOS Transistoren eine verbesserte Leistung durch eine reduzierte Gate-Ladung.
3. VDMOS (Vertical Diffused MOSFETs): Sie zeichnen sich durch eine vertikale Stromflussrichtung aus und sind bekannt für ihre Robustheit und hohe Schaltgeschwindigkeit.
4. Split-Gate Trench MOSFETs: Durch ein zusätzliches Gate verbessern diese MOSFETs die Schaltgeschwindigkeit und minimieren Verluste.
5. Double Trench MOSFETs: Diese Technologie verdoppelt die Grabenstruktur, um den On-Widerstand weiter zu reduzieren.
6. Super Junction Trench MOSFETs: Sie bieten durch eine spezielle Dotierungsstrategie eine extrem niedrige On-Resistance und eine hohe Durchbruchspannung.
7. Shielded Trench MOSFETs: Mit einer zusätzlichen Abschirmung im Graben verringern diese MOSFETs die Gate-Ladung und erhöhen die Effizienz.

Vergleichstabelle: MOSFET-Strukturen

Struktur	Vorteile	Nachteile	Einsatzgebiete
Standard Trench	Geringer On-Widerstand, hohe Effizienz	Standardleistung	Allgemeine Anwendungen
UMOS	Reduzierte Gate-Ladung, verbesserte Leistung	Komplexere Fertigung	Hochleistungs-Schaltanwendungen
VDMOS	Hohe Robustheit, schnelles Schalten	Größerer On-Widerstand bei kleineren Lasten	Leistungsanwendungen, Motorsteuerungen
Split-Gate Trench	Schnelle Schaltung, minimale Verluste	Höhere Kosten	Effizienzkritische Anwendungen
Double Trench	Sehr niedriger On-Widerstand	Höhere Fertigungskomplexität	Stromversorgung, Hochleistungsanwendungen
Super Junction Trench	Extrem niedriger On-Widerstand, hohe Spannung	Höhere Kosten	Energieeffiziente Anwendungen, Leistungselektronik
Shielded Trench	Geringe Gate-Ladung, verbesserte Effizienz	Spezifische Anwendungsgebiete	Schaltregler, DC-DC-Wandler

Auswahl des richtigen MOSFETs für Ihre Applikation

Die Wahl des passenden MOSFETs hängt maßgeblich von der spezifischen Anwendung ab. Für allgemeine Anwendungen bieten sich Standard Trench MOSFETs an, während für energieeffiziente und hochleistungsfähige Anwendungen Super Junction oder Double Trench MOSFETs die bessere Wahl sein können. UMOS und Shielded Trench MOSFETs eignen sich besonders für Anwendungen, bei denen eine schnelle Schaltung und minimale Verluste entscheidend sind. Ganz grob kann man diese auch nach Strom und Spannung differenzieren:

1. Standard Trench MOSFETs: Diese sind üblich für mittlere bis hohe Spannungen (ca. 30V bis 200V) und Ströme (ca. 10A bis 100A).
2. UMOS (U-Shape MOSFETs): Diese dienen oft in Anwendungen mit sehr hohen Spannungen und mäßigen Strömen (ca. 200V bis 600V und 10A bis 50A).
3. VDMOS (Vertical Diffused MOS): Typisch für breite Spannungs- und Strombereiche (20V bis 500V und 1A bis 100A).
4. Split-Gate Trench MOSFETs: Verwendet für präzise Anwendungen, meist in niedrigeren Spannungs- und Strombereichen (20V bis 100V und 10A bis 60A).
5. Double Trench MOSFETs: Optimiert für höhere Leistung in mittleren Spannungs- und hohen Strombereichen (30V bis 150V und 40A bis 150A).
6. Super Junction Trench MOSFETs: Entwickelt für sehr hohe Spannungen und Ströme (100V bis über 600V und 20A bis über 100A).
7. Shielded MOSFETs: Für hohe Effizienz und Leistung über breite Spannungs- und Strombereiche (25V bis 150V und 20A bis 100A).

Unsere Hersteller

Blume Elektronik ist stolz darauf, mit einigen der führenden MOSFET-Hersteller zusammenzuarbeiten:

• Potens Semiconductor: Ein fabless Spezialist aus Taiwan, bekannt für innovative MOSFET-Lösungen.
• Unisonic Semiconductor (UTC): Ein MOSFET-Hersteller aus Taiwan mit eigener Waferfertigung, der sich durch hohe Qualitätsstandards auszeichnet.
• Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. (YJ): Ein führender MOSFET-Hersteller aus China, der eine breite Palette an hochleistungsfähigen MOSFETs mit eigener Waferfertigung bietet.

Ihre Entwicklung ist unsere Mission

Bei Blume Elektronik verstehen wir die Bedeutung von Komponenten, die nicht nur technisch fortschrittlich, sondern auch auf Ihre spezifischen Anforderungen zugeschnitten sind. Unser Team steht bereit, Sie bei der Auswahl der idealen MOSFET-Lösung für Ihr Projekt zu unterstützen. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr darüber zu erfahren, wie unsere Produkte Ihre Entwicklungsziele unterstützen können.