Neue MOSFET-Generation von Potens: PDH09I4B-VL HS mit herausragendem SOA-Bereich
Mit dem PDH09I4B-VL HS bringt Potens einen modernen N-Channel-MOSFET auf den Markt, der sich durch einen außergewöhnlich großen Safe Operating Area (SOA), sehr niedrigen RDS(on)-Widerstand und ein vielseitig einsetzbares TO263-7L-Package auszeichnet. Das Bauteil wurde für Anwendungen entwickelt, in denen Zuverlässigkeit, thermische Stabilität und hohe Effizienz entscheidend sind — beispielsweise in Schaltnetzteilen, Industrieelektronik, LED-Treibern oder Ladeeinrichtungen.
Der MOSFET verbindet robuste Leistung mit beeindruckender Energieeffizienz und bietet Entwicklern damit eine sichere Grundlage für moderne Schaltungsdesigns.
Potens – Innovativer Halbleiterhersteller für moderne Leistungselektronik
Potens Semiconductor ist ein international tätiger Hersteller für leistungsfähige Halbleiterbauelemente im Power-Segment. Das Unternehmen entwickelt MOSFETs, IGBTs und Leistungsbauteile, die auf aktuelle Anforderungen der Industrie zugeschnitten sind. Moderne Fertigungstechnologien, strenge Qualitätskontrollen und effiziente Testverfahren bilden die Basis für zuverlässige Produkte in Anwendungen wie Energieversorgung, Kommunikationstechnik und Industrieautomatisierung.
Der PDH09I4B-VL HS – Leistungsmerkmale im Überblick
Der PDH09I4B-VL HS ist ein 100-V N-Channel MOSFET mit optimierter Trench-DMOS-Struktur. Die Technologie reduziert Leitverluste, ermöglicht schnelles Schalten und bietet gleichzeitig hohe Robustheit gegenüber thermischen Belastungen und Pulsströmen.
Mit seiner Logic-Level-Fähigkeit lässt sich der MOSFET bereits bei 1,2–2,5 V Gate-Spannung zuverlässig ansteuern – ideal für moderne Mikrocontroller- und Low-Voltage-Treiberstufen.
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 °C)
Die wichtigsten Grenzwerte des PDH09I4B-VL HS:
| Symbol | Parameter | Rating | Einheit |
|---|---|---|---|
| VDS | Drain-Source Voltage | 100 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
| ID | Drain Current – Continuous (Tc 25 °C) | 150 | A |
| ID | Drain Current – Continuous (Tc 100 °C) | 95 | A |
| IDM | Drain Current – Pulsed¹ | 600 | A |
| PD | Power Dissipation (Tc 25 °C) | 481 | W |
| PD | Derating above 25 °C | 3.9 | W/°C |
| TSTG | Storage Temperature Range | −55 … 150 | °C |
| TJ | Operating Junction Temperature | −55 … 150 | °C |
¹ Pulsbreiten durch maximale Sperrschichttemperatur begrenzt.
Die Kombination aus hoher Dauerstromtragfähigkeit, sehr guter Wärmeableitung und robustem Gehäusedesign macht den MOSFET ideal für Anwendungen, bei denen hohe Energieimpulse auftreten können.
Großer SOA-Bereich für maximale Sicherheit
Besonders beeindruckend ist der extrem große SOA-Bereich, der in dieser Bauteilklasse herausragt. Das Diagramm zeigt, dass der MOSFET über verschiedene Pulsbreiten hinweg stabile und sichere Betriebsbereiche bietet.
Dies sorgt dafür, dass selbst unter harten Lastbedingungen – etwa beim Schalten induktiver Lasten oder bei hohen Einschaltströmen – ein zuverlässiger Betrieb gewährleistet bleibt.
Vorteile des erweiterten SOA-Bereichs:
- hohe Stabilität bei Pulsströmen
- exzellentes thermisches Verhalten
- sicherer Betrieb bei Ein- und Ausschaltvorgängen
- zuverlässige Performance bei anspruchsvollen Applikationen
Technische Highlights des PDH09I4B-VL HS
- Sehr geringer RDS(on): typisch 2,0 mΩ
- Logic-Level-Ansteuerung möglich: VGS(th) 1,2–2,5 V
- Max. 150 A Dauerstrom
- 600 A Pulsstromfähigkeit
- Optimiertes Trench-Design für geringe Verluste
- Schnelle Schaltzeiten und verbesserte dv/dt-Festigkeit
- Robustes Avalanche-Verhalten
Damit eignet sich der MOSFET hervorragend für moderne High-Power-Designs, die auf Effizienz und kompakte Bauformen angewiesen sind.
TO263-7L – kompatibel als Pin-to-Pin-Ersatz
Das TO263-7L-Package wurde bewusst so ausgelegt, dass es als Pin-to-Pin-Replacement zu weit verbreiteten TempFET-MOSFETs genutzt werden kann.
Dies ermöglicht:
- einfachen Austausch bestehender Komponenten
- keine Layout-Änderung auf der Leiterplatte
- schnelle Integration in vorhandene Serien
- hohe thermische Leistungsfähigkeit durch große Kontaktfläche
Der Vorteil: Entwickler können moderne MOSFET-Technologie nutzen, ohne ihre Platine neu gestalten zu müssen.
Einsatzbereiche des PDH09I4B-VL HS
Der MOSFET eignet sich für zahlreiche Anwendungen, darunter:
- Schaltnetzteile (SMPS)
- Lastschalter
- LED-Treiber und Beleuchtungssysteme
- DC-Anwendungen mit hohen Strömen
- Schnellladegeräte
- Motorsteuerungen
- Industrie-Power-Module
Seine Kombination aus Robustheit und Effizienz macht ihn besonders attraktiv für anspruchsvolle Industrie- und Automationssysteme.