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Schottky-Dioden: optimaler Überspannungsschutz

Wo Strom fließt, kann es auch zur Überspannung kommen. Doch nicht jede elektronische Komponente übersteht höhere Spannungen. Möchten Sie sichergehen, dass die Schaltungen und Geräte einwandfrei funktionieren und vor hohen Strömen geschützt sind, ist eine Schottky-Diode die ideale Wahl. Denn sie leistet auf dem Gebiet des Überspannungsschutzes hervorragende Ergebnisse.
Bei Blume Elektronik finden Sie eine Vielzahl an diskreten Modulen für Ihre Projekte. Mit den vorgefertigten Bauteilen sparen Sie nicht nur Zeit, diese sind auch einfach in der Handhabung und ermöglichen eine höhere Flexibilität. Sie profitieren außerdem von unserer langjährigen Erfahrung hinsichtlich elektrischer Bauelemente. Hochwertige Qualität zu fairen Preisen versteht sich von selbst. Entdecken Sie bei uns die passenden Dioden für Ihre individuellen Anforderungen. Gern unterstützen wir Sie auch bei der Suche.

Schottky Diode

Aufbau und Eigenschaften der Schottky-Diode

Diese spezielle Diode – auch Hot-Carrier-Diode genannt – besitzt keinen p-n-Übergang, also keinen Halbleiter-Halbleiter-Übergang, sondern einen Metall-Halbleiter-Übergang. Die Grenzfläche zwischen dem Metall und dem Halbleiter wird als Schottky-Kontakt oder als Schottky-Barriere bezeichnet. Es handelt sich wie bei der Halbleiterdiode um einen Gleichrichter.
Die n-leitende Schicht besteht aus Silizium oder Siliziumcarbid. Der Übergang zwischen dem n-dotierten Silizium und der Metallelektrode heißt Raumladungszone. Diese ist verarmt an Ladungsträgern und weist daher eine äußerst geringe Kapazität auf. Daraus ergeben sich extrem hohe Schaltgeschwindigkeiten.
Die Silizium-Schottky-Diode besitzt eine kleinere Schwellenspannung von ungefähr 0,4 Volt. Ist der Betriebsstrom sehr gering, kann der Spannungsabfall bis unter 0,1 Volt sinken. Damit ist die Spannung deutlich niedriger als bei einem p-n-Übergang, der circa 0,7 Volt Spannung hat.
Eine Schottky-Diode auf Siliziumcarbid-Basis (SiC) verfügt über eine Schwellenspannung von ungefähr 0,8 Volt. Gegenüber den konventionellen Silizium-Dioden bietet Sie eine Reihe von Vorteilen. Diese Dioden erhalten Sie mit Sperrspannungen von bis zu 1,7 kVolt. Weiterhin haben sie fast kein Vorwärts- und Rückwärts-Erholverhalten, sodass sie der optimalen Diode sehr nahekommen. Mit einem entsprechenden Gehäuse liegt die gestattete Sperrschichttemperatur bei maximal 200° Celsius und somit sehr viel höher als bei Silizium-Schottky-Dioden. Die Kühlung von SiC-Dioden ist daher sehr viel einfacher.

Für diese Anwendungsgebiete eignet sich die Schottky-Diode

Allgemein lassen sich diese speziellen Dioden für Schaltdioden, Mikrowellengleichrichter, Mikrowellenmodulation, Mikrowellenmischstufen und Mikrowellentechnik verwenden. Dabei kommt es auf die spezifischen Eigenschaften der Dioden-Varianten an, welches Modell für Ihr Vorhaben geeignet ist.
Die Silizium-Schottky-Diode kann beispielsweise parallel zur Kollektor-Basis-Strecke eines Silizium-Bipolar-Transistors gestaltet werden. Dadurch verhindert man die Sättigung des Transistors und dir Schaltung des Transistors in den Sperrzustand gelingt wesentlich schneller.
Durch die Sperrspannungen von bis zu 1,7 kVolt können Sie die SiC-Dioden vor allem in der Leistungselektronik einsetzen. Beispiele hierfür sind Schaltnetzteile und Umrichter. Setzen Sie die Diode als Kommunikationspartner für ein IGBT Modul – Insulated Gate Bipolar Transistor – ein, lassen sich sowohl Schaltverluste in der Diode und im Transistor reduzieren, weil bei der Wiedereinschaltung kein Rückwärts-Erholstrom übernommen werden muss.

Dioden, Transistoren und weitere elektronische Bauelemente vom Experten

In unserem umfangreichen Sortiment erwarten Sie diverse diskrete Module für Ihre Anwendungen. Außerdem halten wir eine Vielzahl an passiven Bauelementen, frequenzgebenden Bauteilen und Elektromechanik in unserem Onlineshop bereit. Sie erhalten alles, was Sie für Ihr Projekt benötigen aus einer Hand und in bester Qualität. Überzeugen Sie sich selbst!
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