2EDGVM-THR-5.08-06P-13-00AH
TERM BLOCK HDR 6POS VERT 5.08MM
Kennzeichnung des Herstellers: 2EDGVM-THR-5.08-06P-13-00AH
2EDGVM-THR-5.08-08P-13-00ZH
TERM BLOCK HDR 8POS VERT 5.08MM
Kennzeichnung des Herstellers: 2EDGVM-THR-5.08-08P-13-00ZH
2EDGVMG-5.08-02P-14-100ZH
TERM BLOCK HDR 2POS VERT 5.08MM
Kennzeichnung des Herstellers: 2EDGVMG-5.08-02P-14-100ZH
2EDGVMG-5.08-05P-15-00Z(H)
TERM BLOCK HDR 5POS VERT 5.08MM
Kennzeichnung des Herstellers: 2EDGVMG-5.08-05P-15-00Z(H)
2EDGVT-5.08-06P-14-00Z(H)
TERM BLOCK HDR 6POS VERT 5.08MM
Kennzeichnung des Herstellers: 2EDGVT-5.08-06P-14-00Z(H)
2EDGVT-5.08-12P-14-00Z(H)
TERM BLOCK HDR 12POS VERT 5.08MM
Kennzeichnung des Herstellers: 2EDGVT-5.08-12P-14-00Z(H)
2EDGVTC-5.08-04P-14-00Z(H)
Pluggable terminal blocks,Rated current:10A.Rated voltage
Kennzeichnung des Herstellers: 2EDGVTC-5.08-04P-14-00Z(H)
2N0184320C0XMBL
Crystal Oszillator 1.8432MHz HCMOS ±50ppm 1.8~3.3V 4Pads -40°C~+85°C 2.5x2.0mm
Kennzeichnung des Herstellers: 2N0184320C0XMBL
2N160000DC0XGJM
XO 2,5x2,0mm 4Pads CMOS 3,3V 25ppm -40°C-+85°C Tri-State 16,000MHz
Kennzeichnung des Herstellers: 2N160000DC0XGJM
2N2700000G04MBL
XO 2,5x2,0mm 4Pads CMOS 3,3V 50ppm -40°C-+105°C Tri-State 27,000MHz
Kennzeichnung des Herstellers: 2N2700000G04MBL
2N32768K0C04MBL
XO 2,5x2,0mm 4Pads CMOS 1,8V 50ppm -40°C-+85°C Tri-State 32,768KHz
Kennzeichnung des Herstellers: 2N32768K0C04MBL
2N32768KDC0XGJM
XO 2,5x2,0mm 4Pads CMOS 3,3V 25ppm -40°C-+85°C Tri-State 32,768KHz
Kennzeichnung des Herstellers: 2N32768KDC0XGJM
2N60G-TN3-R
MOSFET N-CH 600V 2.0A 5Ohm TO-252
Kennzeichnung des Herstellers: 2N60G-TN3-R
2N7002
MOSFET N-Channel 60V 340mA SOT-323
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.
Kennzeichnung des Herstellers: 2N7002
2N7002A
TR N MOS Single 60V 0,34A 0,35W SOT-23
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.
Kennzeichnung des Herstellers: 2N7002A