SVC681D-20ABW1S
Varistor 680V 420VAC 560VDC 20mm RM10,0
Kennzeichnung des Herstellers: SVC681D-20ABW1S
SVC75C3B48D2-50.000M
VCXO 7.5x5.0mm CMOS 6Pads 3.3V 30ppm -40°C~+85°C 50ppm Tri State Pin 2 50MHz
Kennzeichnung des Herstellers: SVC75C3B48D2-50.000M
SVC911D-14ABW7
Varistor 550VAC 745VDC 4500A 120J 0,6W -40°C-+85°C Straight lead
Kennzeichnung des Herstellers: SVC911D-14ABW7
SVC911D-20ABW1
Varistor 550VAC 745VDC 6500A 215J 1,0W -40°C-+85°C Straight lead
Kennzeichnung des Herstellers: SVC911D-20ABW1
SVCFSC5A17A-1.000M
VCXO 20.7x13.1mm CMOS 4Pins 5V 50ppm -10°C~+70°C 150ppm 1MHz
Kennzeichnung des Herstellers: SVCFSC5A17A-1.000M
SWI0402F-7N5J-HC
HF-Multilayer Chip Induktivität 7.5nH ± 5 % Isat 680mA Irms 680mA 0.1Ohm -40°C- +125°C 1,09mmx0,60mmx0,56mm
Kennzeichnung des Herstellers: SWI0402F-7N5J-HC
SWI0402HF-2N2B
HF-Inductor SMD 2.2nH ±0.1nH 0.022Ohm 30Q Rated Current 2530mA SRF15.5GHz +125°C 0402 1,00mmx0,6mmx0,56mm
Kennzeichnung des Herstellers: SWI0402HF-2N2B
SWI0603PHF-18NJ
High Frequency Chip Inductor, Wire Wound, Ceramic Core, SMD, 18 nH ±5%, DCR max. 0,16 Ω, Q ≥ 35 250MHz, Isat: 700 mA, SRF typ. 3100 MHz, –40 °C bis +125 °C, 1,5 mm × 1,0 mm × 1,0 mm
Kennzeichnung des Herstellers: SWI0603PHF-18NJ
SWI0805UF-33NJ
HF-drahtgewickelte Induktivität 33nH ±2% 500mA 0.27OHM 1008 2.29x1,73x1,52mm
Kennzeichnung des Herstellers: SWI0805UF-33NJ
SWI1008UF-47NG
HF-drahtgewickelte Induktivität 47nH ±2% 1000mA 0.16OHM 1008 2.92x2.79x2.2mm
Kennzeichnung des Herstellers: SWI1008UF-47NG
SWI1008UF-5R6G
HF-drahtgewickelte Induktivität 5600nH ±2% 200mA 4.00OHM 1008 2.92x2.79x2.20mm
Kennzeichnung des Herstellers: SWI1008UF-5R6G
SWI1008UF-68NG
HF-drahtgewickelte Induktivität 68nH ±2% 1000mA 0.20OHM 1008 2.92x2.79x2.2mm
Kennzeichnung des Herstellers: SWI1008UF-68NG
SWI1008UF-82NG
HF-drahtgewickelte Induktivität 82nH ±2% 1000mA 0.22OHM 1008 2.92x2.79x2.2mm
Kennzeichnung des Herstellers: SWI1008UF-82NG
SWI1008UF-R10NG
HF-drahtgewickelte Induktivität 100nH ±2% 650mA 0.56OHM 1008 2.92x2.79x2.2mm
Kennzeichnung des Herstellers: SWI1008UF-R10NG
SWI1008UF-R12NG
HF-drahtgewickelte Induktivität 120nH ±2% 650mA 0.63OHM 1008 2.92x2.79x2.2mm
Kennzeichnung des Herstellers: SWI1008UF-R12NG
SWI1008UF-R22NG
HF-drahtgewickelte Induktivität 220nH ±2% 500mA 0.84OHM 1008 2.92x2.79x2.2mm
Kennzeichnung des Herstellers: SWI1008UF-R22NG