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  • TMPA1004S-3R3M-D

    Power Inductor 3,3µH 20% Irms 11A Isat 17.5A DCR 10.5 mOhm 11.0x10.0x3.8mm -40-+125°C

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPA1004S-3R3M-D

    TMPA1005S-1R8MN-D

    Power Inductor WireWound SMD Shielded 1,80µH ±25% 4,1mOhm Ftest:0.1MHz Isat:20,0A Irms:19,0A +125°C 11mmx4.8mmx10mm

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPA1005S-1R8MN-D

    TMPA1005S-220MN-D

    Power Inductor, Metal Composite, SMD, Shielded, 22,0 µH ±20%, DCR max. 54 mΩ, Irms: 5,5 A, Isat: 5,5 A, –40 °C bis +125 °C, 11,0 mm × 10,0 mm × 4,8 mm

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPA1005S-220MN-D

    TMPA1205SP-100MN-D

    Power Inductor, Metal Composite, SMD, Shielded, 10,0 µH ±20%, DCR max. 22 mΩ, Irms: 9,0 A, Isat: 10,5 A, –40 °C bis +125 °C, 13,5 mm × 12,6 mm × 4,7 mm

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPA1205SP-100MN-D

    TMPA1265SPV-150MN-D

    Power Inductor WireWound SMD Shielded 15 µH ±20% 13,5 mΩ Ftest:0,1 MHz Isat:22 A Irms:11 A +155 °C 13,5 mm × 12,6 mm × 6,2 mm

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPA1265SPV-150MN-D

    TMPA1265SPV-1R8MN-D

    Power Inductor WireWound SMD Shielded 1.80µH ±20% 3.2mOhm Ftest:0.1MHz Isat:31A Irms: 27A +155°C 13.5mmx12.6mmx6.2mm

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPA1265SPV-1R8MN-D

    TMPA1265SPV-3R3MN-D

    Power Inductor MoldedType SMD Shielded 3.3µH ±20% DCR: 5.3mOhm Isat:27.0A Irms:22.0A +155°C 13.5mmx12.6mmx6.2mm AEC-Q200

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPA1265SPV-3R3MN-D

    TMPA1707SP-330MN-D

    Power Inductor, Metal Composite, SMD, Shielded, 33,0 µH ±20%, DCR max. 37 mΩ, Irms: 10,0 A, Isat: 10,0 A, –40 °C bis +125 °C, 17,8 mm × 16,9 mm × 6,7 mm

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPA1707SP-330MN-D

    TMPC0312H-2R2MG

    Power Inductor WireWound SMD Shielded 2.2µH ±20% 98mOhm Isat:3.4A Irms:2.7A +125°C 3.5mmx3.2mmx1.0mm

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPC0312H-2R2MG

    TMPC0502HP-100MG-D

    Power Inductor WireWound SMD Shielded 10.0µH ±20% 180mOhm Isat:3.4 Irms:2.3A +125°C 5.7mmx5.2mmx1.8mm

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPC0502HP-100MG-D

    TMPC0502HP-2R2MG-D

    Power Inductor WireWound SMD Shielded 2.20µH ±20% 42.0mOhm Isat:9.0A Irms:4.2A +125°C 5.7mmx5.2mmx1.8mm

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPC0502HP-2R2MG-D

    TMPC1004H-5R6MG-D

    Power Inductor WireWound SMD Shielded 5.6µH ±20% 17.0mOhm Ftest:0.1MHz Isat:14.0A Irms:9.0A +125°C 11.0mmx10.0mmx3.8mm

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPC1004H-5R6MG-D

    TMPF0402LR-1R0MN-SF-ABD

    Power Inductor WireWound SMD Shielded 1µH ±20% 10.6mOhm Ftest:0.1MHz Isat:5.4A Irms:8.0A -40°C- +125°C 4.4mmx4.4mmx1.9mm with marking

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPF0402LR-1R0MN-SF-ABD

    TMPF0403LR-1R5MN-ABD

    Power Inductor SMD Inductance 1,50A ±20% Irms 7,0A Isat 4,1 DCR 12,0mOhm 4,4mmx4,4mmx2,8mm -40°C - +125°C

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPF0403LR-1R5MN-ABD

    TMPF0403LR-4R7MN-D

    Power Inductor, Metal Composite, SMD, Shielded, 4,7 µH ±20%, DCR max. 44,1 mΩ, Irms: 2,8 A (ΔT=40 °C), Isat: 4,8 A (ΔL≈30 %), –40 °C bis +125 °C, 4,1 mm × 4,1 mm × 2,8 mm

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPF0403LR-4R7MN-D

    TMPF0808A-4R7MN-ABD

    Power Inductor WireWound SMD Shielded 47µH ±20% 8,9mOhm Ftest:100kHz Isat:14,6A Irms:10,5A -40°C- +125°C 8,9mmx8,5mmx7,7mm

    TAI-TECH

    Kennzeichnung des Herstellers: TMPF0808A-4R7MN-ABD